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绝缘栅双极型晶体管(IGBT)简介
点击次数:173 发布时间:2018-09-11 打印本页面 返回

IGBT(Insulated Gate Bipolor Transistor)叫做绝缘栅极双极晶体管。这种器件具有MOS门极的高速开关性能和双极动作的高耐压、大电流容量的两种特点。其开关速度可达1mS,额定电流密度100A/cm2,电压驱动,自身损耗小。其符号和波形图如下图所示。

 

 

IGBT可以耐高压、大电流,常以一个单元、二个单元、六个单元装在一个芯片上,下图给出一、二、六单元在一个硅片上的等效电路。

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